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半導体レーザ

近紫外(UV) Laser Diodes
このページの内容は、2024年5月末現在のものです。

☆印の機種は新製品です。
★印の機種は開発中です。
形名
波長
(帯域)
λp
(nm)
特性 (Tc = 25°C)
絶対最大定格*1
Package
(mm)
モニター
PD
(内蔵:
)
Po
(mW)
Ith
(mA)
Iop
(mA)
Vop
(V)
ηd
(mW/
mA)
(Peak)
λp
(nm)
Emitter
width
(µm)
FFP
Po
(mW)
Iop
(mA)
Top
(°C)
Θ//
(°)
Θ⊥
(°)
380
200
200
325
4.4
380
7
15
36
*3
210
0 ~ +30
ø5.6
   GH0393AA2G*4
395
300
150
310
4.4
1.8
395
7
13
44
*3
350
0 ~ +30
ø5.6
   GH0401FA2G*5
405
150
40
130
5.0
1.7
405
1.25
9
19
*2
155
–10 ~ +75
ø5.6
   GH0401FA2K*5
405
150
40
130
5.0
1.7
405
1.25
9
19
*2
155
–10 ~ +75
ø5.6
   GH0406AA2G*4
405
600
120
420
4.4
2.0
405
7
16
38
*3
700
0 ~ +30
ø5.6
405
1 000
150
650
5.0
2.0
405
10
16
40
*3
1 100
0 ~ +30
ø5.6
★GH04V01B2GC*4
405
1 300
(160)
(825)
(4.0)
405
15
(7.5)
(42)
*3
1 400
0 ~ +30
ø5.6
405
3 000
450
1 800
4.0
2.0
405
30
8
40
*3
2 000
0 ~ +30
ø9.0
   GH04W10A2GC*4
406
300
140
325
4.5
1.8
406
7
14
41
*3
350
0 ~ +50
ø5.6
*1 絶対最大定格はいかなる使用条件または試験条件でも超えてはならない限界値です。
*2 ピーク強度の 1/2 での全幅角度
*3 ピーク強度の 1/e2 での全幅角度
*4 Multi mode
*5 Single mode
*6 Two Emitter Product
* 上記以外のパッケージや特性の組合せについてはお問合せ下さい。