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半導体レーザ

☆印の機種は新製品です。
★印の機種は開発中です。
近紫外(UV) Laser Diodes
形名
波長
(帯域)
λp
(nm)
絶対最大定格*1
特性 (Tc = 25°C)
Package
(mm)
モニター
PD
(内蔵:
)
Po
(mW)
Iop
(mA)
Top
(°C)
Po
(mW)
Ith
(mA)
Iop
(mA)
Vop
(V)
ηd
(mW/
mA)
(Peak)
λp
(nm)
FFP
Θ//
(°)
Θ⊥
(°)
380
210
20 ~ +30
200
200
325
4.4
380
15
36
*3
ø5.6
395
350
0 ~ +30
300
150
310
4.4
1.8
395
13
44
*3
ø5.6
   GH0401FA2G*5
405
155
–10 ~ +75
150
40
130
5.0
1.7
405
9
19
*2
ø5.6
   GH0401FA2K*5
405
155
–10 ~ +75
150
40
130
5.0
1.7
405
9
19
*2
ø5.6
   GH04W10A2GC*4
406
350
0 ~ +50
300
140
325
4.5
1.8
406
14
41
*3
ø5.6
   GH0406AA2G*4
405
700
0 ~ +30
600
120
420
4.4
2.0
405
16
38
*3
ø5.6
405
1 100
0 ~ +30
1 000
150
650
5.0
2.0
405
16
40
*3
ø5.6
405
(T.B.D)
0 ~ +30
3 000
450
1 900
5.0
2.0
405
12
38
*3
ø9.0
*1 絶対最大定格はいかなる使用条件または試験条件でも超えてはならない限界値です。
*2 ピーク強度の 1/2 での全幅角度
*3 ピーク強度の 1/e2 での全幅角度
*4 Multi mode
*5 Single mode
*6 Two Emitter Product
* 上記以外のパッケージや特性の組合せについてはお問合せ下さい。