SHARP 洗浄システム

高濃度オゾン水製造ユニット

受注生産

高濃度オゾン水 フォトレジスト有機汚染物除去 環境負荷低減(薬液レス) ランニングコスト低減

薬液レスでフォトレジストや

有機汚染物の除去を実現。

主な特長

シャープは、70℃、150mg/L 以上の過飽和状態にある高濃度オゾン水で、LSI/MEMS/LED/FDP の生産分野における洗浄プロセスを革新します。

半導体等のデバイス生産の分野において、フォトレジストを含む有機物の除去には、主にSPM (硫酸と過酸化水素水との混合物) が用いられてきました。 しかしながら、近年では、地球環境保全の観点から、環境負荷の小さい洗浄方法が求められています。 このような背景をもとに、シャープでは、環境負荷が小さく、且つ、SPMに代わる洗浄剤として有望な高温・高濃度のオゾン水を生成する装置を開発しました。 この装置で生成可能なオゾン水は、最高温度70℃において、150mg/L 以上 (標準保証値) の高い濃度のものです。 そのオゾン水の外観は、高い濃度を反映し、濃いオゾンブルーが観察されます。

シャープ「オゾン水」の特長

一般的なオゾン水 高濃度化 高温化 シャープ高濃度オゾン水(70℃、150mg/L以上) 超純水 無色透明 高濃度オゾン水 濃いオゾンブルー

レジスト除去処理への適用効果

ランニングコスト (当社比)

従来のSPMによるディップ洗浄方式に比べて、
スピン洗浄方式:「1/13」に低減。
ディップ洗浄方式:「1/16」に低減。

洗浄時間

スピン洗浄方式:「約1分」で除去可能。
ディップ洗浄方式:「約10分」で除去可能。
(φ8インチウェハー、レジスト厚1μm の当社テストサンプルの場合。)

  • 洗浄時間は洗浄機の性能やご使用の環境により異なる場合があります。

スピン洗浄方式(枚葉処理)約1分間で除去可能 ディップ洗浄方式(バッチ処理)約10分で除去可能 レジスト厚:1μm

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